第三代半导体材料具有（ ）等特点，适用于高温.高频.抗辐射及大功率器件的制作。

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第三代半导体材料具有（ ）等特点，适用于高温.高频.抗辐射及大功率器件的制作。

A.宽的禁带宽度

B.高的热导率

C.高的击穿电场

D.高的抗辐射能力

正确答案：ABCD